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        產品說明 / Product Description位置: 首頁 > 產品說明 > 單晶硅長晶爐技術標準

        單晶硅長晶爐技術標準

        發布者:晶泰電器發布日期:2017-06-28點擊量:1832

        1、CCD控制,測量方法:測量精度達到0.1mm,單晶頭尾直徑偏差在1mm以內,完全兼容拉制<100>、<111>、<110>等規格的單晶
        2、真空計采用分量程薄膜真空計(0~1Torr、0~100Torr、0~1000Torr),使壓力測量精度更高,測量真空值不受氣體介質影響。
        3、采用質量流量計(MFC)控制氬氣流量,在外界壓力波動的情況下可恒定輸出氬氣流量,確保拉晶生長環境的恒定;
        4、國內首創三閥真空控制系統,采用滑閥真空泵抽真空、檢漏,水環真空泵拉晶,使在拉晶過程中產生的有毒氣體、灰塵等經過水過濾、水處理后排放,不直接排放于大氣中,大大提高了環保。
        5、以太網控制,可經過Internet網遠程登錄設備修改參數及數據監控和下載儲存。
        6、高晶轉、堝轉,可提高單晶體的均勻性,減少氧、碳含量及微缺陷。
        7、由于氬氣系統中電磁閥若長時間通電易發燙造成閥門關不死、電磁閥燒毀,從而影響拉晶生長,我們采用氣動閥替代電磁閥,避免了閥體發燙而導致閥門關不死等現象。
        8、我們用單作用、自復位氣動高真空抽氣球閥代替普通的手動球閥,使在單晶生長過程中若發生停電、停氣現場,自動關閉抽氣閥,避免由于氣體倒吸而造成整爐料報廢的風險。
        9、采用高精度電子調節閥來控制晶體生長爐的爐壓,可以實現高爐壓控制,保證了晶體生長環境的恒定及一致性,大大提高了拉晶成晶率。
        10、國內首創具有自己知識產權的冷卻水水壓安全閥,在冷卻水管內若壓力過高自動泄壓,保證了人身與設備的安全。
        11、激光+CCD液面與導流筒測距技術,控制精度可達0.1mm,可以根據工藝要求在不同的等徑長度液面位置做相應的調整,可自動修改熱屏位置來改變液面的位置。
        12、可根據石墨、石英的形狀及拉制的單晶尺寸自動計算堝跟比,不需要另外設定堝跟比表格
        13、直徑溫度控制系統,拉速優先控制,拉速按工藝設定給定,在等徑過程中不隨直徑的變化而改變,從而滿足拉制完美單晶體的要求,特別針對大直徑單晶尤為重要
        14、自動溫度補償生長控制系統,采用獨特的控制算法,對整根單晶棒生長溫度分布作出規劃,尤其針對拉制重摻單晶,可以保證整根單晶棒的拉制,不容易由于溫度而造成的斷苞
        15、開門式副室:
        (1)便于清洗,特別是重摻單晶,在拉制過程中會產生大量的揮發物,若采用炮筒式副室,揮發物在副室里就難以清掃干凈;
        (2)降低爐子高度,開門式副室可以去掉隔離閥腔,這樣爐體整體高度就有所降低,可以縮小共振區,從而可保證高晶轉的穩定性;
        (3)便于爐內二次加料,只需打開副室門就可以實現爐內的二次加料,而不需要升降副爐室來完成,減少由于操作失誤造成的損失。
        16、磁場,針對單晶體品質不同的要求,我們設計了勾型磁場和橫向磁場:
        (1)勾型磁場主要針對降低氧碳含量
        (2)橫向磁場主要是針對提高電阻率均勻性而開發的,6寸的單晶硅片電阻率不均勻性可在10以下

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